新エネルギー充電杭業界の市場規模は成長傾向を維持

近年では、 国信エネルギー 充電杭業界の市場規模は成長傾向を維持しており、市場規模は2017年の72億元から2021年には418億7千万元に増加し、年平均成長率は42.2％となっている。新エネルギー車の予想外の成長により、充電パイル業界チェーンに好風が吹くと予想されます。充電アライアンスのデータによると、中国の充電スタンドの市場規模は2023年に1000億元を超えると推定されている。

これまでのところ、中国の主流の DC 充電器は依然として 400V 標準です。中国充電同盟の予測によると、国内の DC 充電スタンドの数は 2021 年の 47 万本から 2025 年には 219 万本に増加すると予想されています。産業用の高電圧 DC 急速充電の段階的な適用を考慮すると、 DC800V充電スタンドの数は2021年の3,000本から2025年には80,000本に増加し、DC400V充電スタンドの数は2021年の4670万本から2025年には211万本に増加します。 DC400V充電スタンドの電力はほとんどが 60KW であり、120KW 以上の DC 充電器の割合はまだ小さいです。同時に、現在の主流の充電モジュールは20kWと30kWであり、そのうち20kWモジュールが市場容量の大部分を占めています。

(1) 現在のすべての DC400V 充電杭の電力が 60kW、DC800V 充電杭の電力が 120kW であると仮定します。 (2) すべての 400V 充電ポストが、1200V/62m の第 3 世代 SiC MOSFET (C3M0065100K) とドライバーを使用する Wolfspeed の 20kW 充電モジュール モデル CGD15HB62LP を使用すると仮定します。このモジュールの技術仕様によると、各モジュールは 10 個の SiC MOSFET を使用する必要があります。本SiC MOSFET製品はシングルチップ構造を採用しているため、各SiC MOSFETには1つのSiCチップが搭載されています。 (3) すべての 800V 充電パイルが Wolfspeed の 30kW 充電モジュール モデル C3M0075120K を使用すると仮定すると、このモデルは 1200V/75m の第 3 世代 SiC MOSFET を使用し、約 12 個の SiC MOSFET が必要で、それぞれのチップ サイズは 3.3 個のマルチチップ構造を使用しています。 mm×3.3mm。 Wolfspeed データによると、各 MOSFET は並列接続された 96 個の SiC チップで構成されています。 (4) 6 インチウェハ 1 枚が約 600 個の SiC チップに相当すると仮定します。当社では、2025 年までに国内の充電パイルに必要な SiC ウェーハの数は 329,000 枚に達すると推定しています。